5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-C2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.84 |
| 最大击穿电压： | 7.48 V | 最小击穿电压： | 6.12 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码： | DO-214AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 600 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | C BEND |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TSB6.8A | SURGE |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, |
|
| TSB6.8C | SURGE |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, |
|
| TSB60R190S1 | TRUESEMI |
获取价格 |
TO-263 |
|
| TSB611 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Low-power, rail-to-rail output, 36 V operational amplifier |
|
| TSB611ILT | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Low-power, rail-to-rail output, 36 V operational amplifier |
|
| TSB611IYLT | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Low-power, rail-to-rail output, 36 V operational amplifier |
|
| TSB612 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Low power, rail-to-rail output, 36V operational amplifier |
|
| TSB612IDT | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Low power, rail-to-rail output, 36V operational amplifier |
|
| TSB612IST | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Low power, rail-to-rail output, 36V operational amplifier |
|
| TSB612IYDT | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Low power, rail-to-rail output, 36V operational amplifier |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
