TN0606

更新时间： 2024-02-15 10:07:10

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描述
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

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TN0606 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIE	包装说明：	UNCASED CHIP, S-XUUC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.71
其他特性：	LOW THRESHOLD	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏源导通电阻：	1.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	35 pF
JESD-30 代码：	S-XUUC-N3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	UNCASED CHIP	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TN0606 数据手册

TN0606

TN0610

Low Threshold

N-Channel Enhancement-Mode

Vertical DMOS FETs

Ordering Information

BV_DSS/ R_DS(ON)I_D(ON)V_GS(th)

Order Number / Package

BV_DGS(max) (min) (max)

TO-92

TO-220

TN0606N5

—

60V

1.5Ω

3.0A

2.0V

TN0606N3

TN0610N3

100V

^†MIL visual screening available

Low Threshold DMOS Technology

Features

These low threshold enhancement-mode (normally-off) transis-

tors utilize a vertical DMOS structure and Supertex's well-proven

silicon-gate manufacturing process. This combination produces

devices with the power handling capabilities of bipolar transistors

and with the high input impedance and positive temperature

coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS

structures, these devices are free from thermal runaway and

thermally-induced secondary breakdown.

■ Low threshold — 2.0V max.

■ High input impedance

■ Low input capacitance — 100pF typical

■ Fast switching speeds

■ Low on resistance

■ Free from secondary breakdown

■ Low input and output leakage

■ Complementary N- and P-channel devices

Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range

of switching and amplifying applications where very low threshold

voltage, highbreakdownvoltage, highinputimpedance, lowinput

capacitance, and fast switching speeds are desired.

Applications

■ Logic level interfaces – ideal for TTL and CMOS

Package Options

■ Solid state relays

■ Battery operated systems

■ Photo voltaic drives

■ Analog switches

■ General purpose line drivers

■ Telecom switches

S G D

Absolute Maximum Ratings

Drain-to-Source Voltage

TO-220

TAB: DRAIN

TO-92

BV_DSS

BV_DGS

± 20V

Drain-to-Gate Voltage

Gate-to-Source Voltage

Operating and Storage Temperature

Soldering Temperature*

-55°C to +150°C

Note:

1. See Package Outline section for dimensions

300°C

* Distance of 1.6 mm from case for 10 seconds.

7-51

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TN0606_13	SUPERTEX	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET	获取价格
TN0606N2	SUPERTEX	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格
TN0606N3	SUPERTEX	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs	获取价格
TN0606N3-G	MICROCHIP	500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92	获取价格
TN0606N3-G	SUPERTEX	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格
TN0606N3-GP002	SUPERTEX	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET	获取价格

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