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TMM5712

更新时间： 2024-01-02 16:13:12

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	73K
描述
SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE, GLASS, MINIMELF-2

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技术参数
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TMM5712 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	MELF	包装说明：	O-LELF-R2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.92	其他特性：	MATCHED BATCH AVAILABLE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最大二极管电容：	1.2 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
频带：	VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY	JESD-30 代码：	O-LELF-R2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	0.035 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.43 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	20 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
Base Number Matches：	1

TMM5712 数据手册

TMM 5712

SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE

DESCRIPTION

Metal to silicon junction diode featuring high break-

down voltage, low turn-on voltage and ultrafast

switching.

Primarlyintended forhigh level UHF/VHF detection

and pulse application with broad dynamic range.

MINIMELF

(Glass)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (limiting values)

Symbol

V_RRM

I_F

Parameter

Repetitive Peak Reverse Voltage

Value

Unit

Forward Continuous Current

Power Dissipation

°C

T_i= 25 °C

P_tot

430

T_stg

T_j

Storage and Junction Temperature Range

- 65 to 200

T_L

Maximum Temperature for Soldering during 15s

260

°C

THERMAL RESISTANCE

Symbol

Test Conditions

Value

Unit

R_th(j-l)

Junction-leads

400

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

STATIC CHARACTERISTICS

Symbol

V_BR

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

T_amb= 25°C

I_R= 10µA

I_F= 1mA

I_F= 35mA

V_R= 15V

V_F*

0.41

_amb= 25°C

I_R*

0.1

T_amb= 25°C

µA

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Symbol

Test Conditions

V_R= 0V

Min.

Typ.

Max.

1.2

Unit

T_amb= 25°C

f = 1MHz

Krakauer Method

100

I_F= 5mA

* Pulse test: t_p≤ 300µs δ < 2%.

Matched batches available on request. Test conditions (forward voltage and/or capacitance) according to customer specification.

November 1994

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