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TM4SR72EPH-10

更新时间： 2024-01-23 02:54:14

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		时钟动态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
15页	235K
描述
MEMORY MODULE,SDRAM,4MX72,CMOS,DIMM,168PIN,PLASTIC

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技术参数
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TM4SR72EPH-10 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM-168	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	7 ns	JESD-30 代码：	R-XDMA-N168
内存密度：	301989888 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：	72	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	168
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX72
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	认证状态：	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

TM4SR72EPH-10 数据手册

TM2SR72EPH 2097152 BY 72-BIT

TM4SR72EPH 4194304 BY 72-BIT

SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULES

SMMS705A – FEBRUARY 1998 – REVISED APRIL 1998

dual-in-line memory module and components

The dual-in-line memory module and components include:

PC substrate: 1,27 ± 0,1 mm (0.05 inch) nominal thickness; 0.005 inch/inch maximum warpage

Bypass capacitors: Multilayer ceramic

Contact area: Nickel plate and gold plate over copper

functional block diagram for the TM2SR72EPH

U0, U4

CK0

U1, U5, U8

DQMB0

DQ[0:7]

DQM

DQMB4

DQM

U2, U6

U3, U7

DQ[0:7]

DQ[32:39]

DQ[0:7]

CK1

CK2

DQMB1

DQM

DQMB5

DQM

DQ[8:15]

DQ[0:7]

DQ[40:47]

DQ[0:7]

CK3

R = 10 Ω

= 5 Ω

= 10Ω

DQMB1

CB[0:7]

DQM

C = 10 pF

DQ[0:7]

U[0:8]

Two 0.33 µF

per SDRAM

DQMB2

DQM

DQMB6

DQM

U[0:8]

DQ[16:23]

DQ[0:7]

DQ[48:55]

DQ[0:7]

DQMB3

DQM

DQMB7

DQM

DQ[24:31]

DQ[0:7]

DQ[56:63]

DQ[0:7]

RAS

CAS

RAS: SDRAM U[0:8]

CAS: SDRAM U[0:8]

WE: SDRAM U[0:8]

CKE: SDRAM U[0:8]

A[0:11]: SDRAM U[0:8]

SPD EEPROM

SCL

SDA

SA0 SA1 SA2

CKE0

A[0:11]

LEGEND: CS = Chip Select

SPD = Serial Presence Detect

POST OFFICE BOX 1443 • HOUSTON, TEXAS 77251–1443

1 2 345 6 7...15

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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