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TM2SR72EPU

更新时间： 2024-02-11 14:39:16

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德州仪器 - TI		/
页数	文件大小	规格书
46页	887K
描述
SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULES

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TM2SR72EPU 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	,	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.84
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	7.5 ns
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	150994944 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	72
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX72	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

TM2SR72EPU 数据手册

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SMMS683A − JUNE 1997 − REVISED AUGUST 1997

dual-in-line memory module and components

The dual-in-line memory module and components include:

PC substrate: 1,27 0,1 mm (0.05 inch) nominal thickness; 0.005 inch/inch maximum warpage

Bypass capacitors: Multilayer ceramic

Contact area: Nickel plate and gold plate over copper

functional block diagram for the TM2SR72EPU

U0, U4

CK0

U1, U5, U8

DQMB0

DQ[0:7]

DQM

DQMB4

DQM

U2, U6

U3, U7

DQ[0:7]

DQ[32:39]

DQ[0:7]

CK1

CK2

DQMB1

DQM

DQMB5

DQM

DQ[8:15]

DQ[0:7]

DQ[40:47]

DQ[0:7]

CK3

R = 10 Ω

= 5 Ω

= 10Ω

DQMB1

CB[0:7]

DQM

C = 10 pF

DQ[0:7]

U[0:8]

Two 0.1 µF (minimum)

per SDRAM

DQMB2

DQM

DQMB6

DQM

U[0:8]

DQ[16:23]

DQ[0:7]

DQ[48:55]

DQ[0:7]

DQMB3

DQM

DQMB7

DQM

DQ[24:31]

DQ[0:7]

DQ[56:63]

DQ[0:7]

RAS

CAS

RAS: SDRAM U[0:8]

CAS: SDRAM U[0:8]

WE: SDRAM U[0:8]

CKE: SDRAM U[0:8]

A[0:11]: SDRAM U[0:8]

SPD EEPROM

SCL

SDA

SA0 SA1 SA2

CKE0

A[0:11]

LEGEND: CS = Chip Select

SPD = Serial Presence Detect

POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265

^{POST OFFICE BOX 1443}• HOUSTON, TEXAS 77251−1443

1 2 345 6 7...46

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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