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TLR342FJ-E2

更新时间： 2024-10-01 00:56:39
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM /
页数 文件大小 规格书
55页 4750K
描述
Low Voltage Operation Ground Sense Operational Amplifier

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TLR342FJ-E2 数据手册

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Datasheet  
Operational Amplifiers  
Low Voltage Operation  
Ground Sense Operational Amplifier  
TLR341G TLR342xxx TLR344xxx  
Key Specifications  
Operating Supply Voltage (Single Supply):  
+1.8V to +5.5V  
General Description  
TLR341G, TLR342xxx, and TLR344xxx series are  
single, dual, and quad CMOS operational amplifier with  
low supply voltage operation and full swing output.  
These are suitable for battery-operated equipment. The  
MOSFET input stage provides low input bias current. It  
can be used for sensor applications.  
Supply Current:  
TLR341G  
75uA (Typ)  
150uA (Typ)  
300uA (Typ)  
105dB (Typ)  
-40°C to +85°C  
4mV (Max)  
TLR342xxx  
TLR344xxx  
Voltage Gain (RL=2kΩ):  
Temperature Range:  
Input Offset Voltage:  
Input Bias Current:  
Gain Bandwidth:  
Slew Rate:  
TLR341G includes shutdown function.  
Features  
1pA (Typ)  
Low Operating Supply Voltage  
Output Full Swing / Input Ground Sense  
High Large Signal Voltage Gain  
Low Input Bias Current  
Low Supply Current  
2.3MHz (Typ)  
1.2V/µs (Typ)  
1.2µs (Typ)  
Turn-on Time from Shutdown:  
Low Input Offset Voltage  
Packages  
SSOP6  
SOP8  
W(Typ) x D(Typ) x H(Max)  
2.90mm x 2.80mm x 1.25mm  
5.00mm x 6.20mm x 1.71mm  
4.90mm x 6.00mm x 1.65mm  
3.00mm x 6.40mm x 1.20mm  
3.00mm x 4.90mm x 1.10mm  
8.70mm x 6.20mm x 1.71mm  
8.65mm x 6.00mm x 1.65mm  
5.00mm x 6.40mm x 1.20mm  
Applications  
SOP-J8  
TSSOP-B8  
TSSOP-B8J  
SOP14  
SOP-J14  
Consumer Electronics  
Buffer  
Sensor Amplifier  
Mobile Equipment  
Battery-Operated Equipment  
TSSOP-B14J  
Pin Configuration  
TLR341G  
: SSOP6  
Pin No.  
Pin Name  
1
2
3
4
5
6
+IN  
VSS  
-IN  
+IN  
VSS  
-IN  
1
2
3
6 VDD  
+
-
5 SHDN  
OUT  
——————  
OUT  
4
SHDN  
VDD  
Pin  
Input condition  
State  
Shutdown  
Active  
VSS  
——————  
SHDN  
VDD  
Note: Please refer to Electrical Characteristics regarding to Shutdown Voltage Range.  
○Product structure：Silicon monolithic integrated circuit ○This product has no designed protection against radioactive rays.  
www.rohm.com  
©2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
TSZ22111･14･001  
TSZ02201-0RAR0G200720-1-2  
03.Feb.2016 Rev.004  
1/51  
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