是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | GREEN, SOIC-8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.33.00.01 | 风险等级: | 5.29 |
Is Samacsys: | N | 放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构: | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB): | 0.00006 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB): | 0.00006 µA | 标称共模抑制比: | 80 dB |
频率补偿: | YES | 最大输入失调电压: | 6500 µV |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e4 |
长度: | 4.9 mm | 低-偏置: | YES |
低-失调: | NO | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP8,.25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 包装方法: | TUBE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5/10 V |
可编程功率: | YES | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.75 mm | 标称压摆率: | 3.6 V/us |
子类别: | Operational Amplifier | 最大压摆率: | 2.2 mA |
供电电压上限: | 18 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽: | 1700 kHz | 最小电压增益: | 4000 |
宽度: | 3.9 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TLC251ACDR | TI |
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OP-AMP, 6500uV OFFSET-MAX, 1.7MHz BAND WIDTH, PDSO8, GREEN, SOIC-8 |
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TLC251ACDRG4 | TI |
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OP-AMP, 6500uV OFFSET-MAX, 1.7MHz BAND WIDTH, PDSO8, GREEN, SOIC-8 |
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TLC251ACJG | TI |
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OP-AMP, 6500uV OFFSET-MAX, 2.3MHz BAND WIDTH, CDIP8, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, |
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TLC251ACJG4 | TI |
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IC IC,OP-AMP,SINGLE,CMOS,DIP,8PIN,CERAMIC, Operational Amplifier |
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TLC251ACP | TI |
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LinCMOSE PROGRAMMABLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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TLC251B | TI |
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LinCMOSE PROGRAMMABLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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TLC251BCD | TI |
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LinCMOSE PROGRAMMABLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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TLC251BCD3 | TI |
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IC IC,OP-AMP,SINGLE,CMOS,SOP,8PIN,PLASTIC, Operational Amplifier |
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TLC251BCDR | TI |
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暂无描述 |
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TLC251BCJG | TI |
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暂无描述 |
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