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TIP127

更新时间： 2024-02-21 21:47:30

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描述
PLASTIC POWER TRANSISTORS

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TIP127 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.59	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	75 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
Base Number Matches：	1

TIP127 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company

PLASTIC POWER TRANSISTORS

TIP120

TIP121

TIP122

NPN

TIP125

TIP126

TIP127

PNP

TO-220

Plastic Package

High Power Switching, Hammer Drive, Pulse Motor Drive and Inductive Load Drive Applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

TIP120/125

TIP121/126

TIP122/127

100

UNIT

DESCRIPTION

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector Emitter Voltage

Collector Base Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current Continuous

Collector Current Peak

100

I_CM

I_B

120

Base Current

Power Dissipation upto T_c=25ºC

P_D

0.52

W/ºC

Derate above 25ºC

Power Dissipation upto T_a=25ºC

P_D

mW/ºC

Derate above 25ºC

Unclamped Inductive Load

Energy

Operating And Storage Junction

Temperature

ºC

T_j,T_stg

- 65 to +150

* I_C=1A, L=100mH, P.R.F.=10Hz, Vcc=20V, R_BE=100W

THERMAL RESISTANCE

R_{th (j-c)}

1.92

62.5

ºC/W

Junction to Case

R_{th (j-a)}

Junction to Ambient in free air

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C=25ºC unless specified otherwise)

TIP120/125 TIP121/126 TIP122/127

MIN MAX MIN MAX MIN MAX

DESCRIPTION

SYMBOL

TEST CONDITION

UNIT

*V_CEO(sus)

I_C=100mA, I_B=0

V_CE=50V, I_B=0

V_CE=40V, I_B=0

V_CE=30V, I_B=0

V_CB=100V, I_E=0

V_CB=80V, I_E=0

V_CB=60V, I_E=0

Collector Emitter (sus) Voltage

Collector Cut Off Current

100

0.5

0.2

CEO

0.5

Collector Cut Off Current

CBO

0.2

2.0

0.2

2.0

I_EBO

*h_FE

V_EB=5V, I_C=0

Emitter Cut Off Current

DC Current Gain

2.0

I_C=0.5A,V_CE=3V

I_C=3A, V_CE=3V

I_C=3A, I_B=12mA

I_C=5A, I_B=20mA

I_C=3A,V_CE=3V

1000

Collector Emitter Saturation

Voltage

Base Emitter On Voltage

*V_{CE (sat)}

2.0

4.0

2.5

2.0

4.0

2.5

2.0

4.0

2.5

*V_{BE (on)}

*Pulse Test : Pulse width <300ms, Duty Cycle <2%

Data Sheet

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Continental Device India Limited

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TIP127_08	FAIRCHILD	获取价格	PNP Epitaxial Darlington Transistor
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TIP12716A	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
TIP127-6200	RENESAS	获取价格	8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP127-6203	RENESAS	获取价格	8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP127-6226	RENESAS	获取价格	8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP127-6255	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
TIP127-6258	RENESAS	获取价格	8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

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