TIP127

更新时间： 2024-01-23 19:06:33

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描述
PNP EPITAXIAL TRANSISTOR

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TIP127 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.59	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	75 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
Base Number Matches：	1

TIP127 数据手册

UTCTIP127

PNPEPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

PNP EPITAXIAL TRANSISTOR

DESCRIPTION

The UTC TIP127 is a PNP epitaxial transistor, designed

for use in general purpose amplifier low-speed switching

applications.

TO-126

1:EMITTER 2:COLLECTOR 3:BASE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C)

PARAMETER

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

RATINGS

UNIT

100

Collector Dissipation

Storage Temperature

Junction Temperature

Tstg

-55 ~ +150

150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25°C, unless otherwise specified )

PARAMETER

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Collector Cut-Off Current

Collector-Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

DC Current Gain

SYMBOL

BV_CEO

I_CBO

I_CEO

I_EBO

V_CE(SAT)1

V_CE(SAT)2

V_BE(ON)

TEST CONDITIONS

I_C=100mA

V_CB=100V

V_CE=50V

V_EB=5V

I_C=3A, I_B=12mA

I_C=5A, I_B=20mA

V_CE=3V, I_C=3A

I_C=500mA, V_CE=3V

I_C=3A, V_CE=3V

MIN. TYP. MAX. UNIT

100

200

500

2.5

1000

h_FE

UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.

QW-R204-017,A

12 3

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