是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.67 | 外壳连接: | SOURCE |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 15 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 20 A | 最大漏极电流 (ID): | 22 A |
FET 技术: | JUNCTION | 最高频带: | C BAND |
JESD-30 代码: | R-CDFM-F2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | DEPLETION MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 115.4 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
TIM3742-30SL_07 | TOSHIBA | IM3=-45 dBc at Po= 34.5 dBm, Single Carrier Level |
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TIM3742-30SL-341 | TOSHIBA | MICROWAVE POWER GaAs FET |
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TIM3742-30SL-341_06 | TOSHIBA | MICROWAVE POWER GaAs FET |
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TIM3742-35SL | TOSHIBA | MICROWAVE POWER GaAs FET |
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TIM3742-4 | TOSHIBA | TRANSISTOR C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, 2-11D1B, 3 PIN, FET RF Power |
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TIM3742-45SL-341 | TOSHIBA | MICROWAVE POWER GaAs FET |
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