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TIL601

更新时间: 2024-09-30 03:27:39
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德州仪器 - TI 晶体光电晶体管光电晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
9页 151K
描述
N.P.N PLANAR SILICON PHOTOTRANSISTORS

TIL601 技术参数

是否无铅: 含铅生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.67
Is Samacsys:N其他特性:TTL COMPATIBLE
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min:50 V配置:SINGLE
最大暗电源:25 nA红外线范围:YES
标称光电流:0.5 mA安装特点:THROUGH HOLE MOUNT
功能数量:1最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-60 °C光电设备类型:PHOTO TRANSISTOR
峰值波长:900 nm最大功率耗散:0.05 W
最长响应时间:0.000008 s形状:ROUND
子类别:Photo Transistors表面贴装:NO
Base Number Matches:1

TIL601 数据手册

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