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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> TFK5070D

TFK5070D PDF预览

TFK5070D

更新时间： 2024-02-07 04:17:20

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率双极晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	646K
描述
NPN Silicon Darlington Power Transistor

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TFK5070D 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	30 A	最小直流电流增益 (hFE)：	17
最大降落时间（tf）：	600 ns	元件数量：	1
最高工作温度：	150 °C	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
子类别：	BIP General Purpose Power	VCEsat-Max：	2.5 V
Base Number Matches：	1

TFK5070D 数据手册

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与TFK5070D相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TFK5070DA	VISHAY	NPN Silicon Darlington Power Transistor	获取价格
TFKC2,5/2-ST-5,08BKLCBUBD20V	PHOENIX	Barrier Strip Terminal Block,	获取价格
TFKC2,5/4-ST-5,08GY31BDWH1-4	PHOENIX	Barrier Strip Terminal Block,	获取价格
TFKC2,5/8-STF-5,08BKAU2BDX43	PHOENIX	Barrier Strip Terminal Block,	获取价格
TFKC2,5/8-STF-5,08BKAU2BDX45	PHOENIX	Barrier Strip Terminal Block,	获取价格
TFKC2,5/8-STF-5,08BKAUNZX43	PHOENIX	Barrier Strip Terminal Block,	获取价格

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