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TD330N16AOF

更新时间： 2024-04-09 18:58:42

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11页	660K
描述
Thyristor/Diode 50 mm Power Block 1600 V, 330 A module for phase control with high reliable pressure contact technology. Also available with pre-applied thermal interface material.

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数据手册

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TD330N16AOF 数据手册

Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT330N16AOF

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

Freiwerdezeit

T_vj= T_{vj max}, i_TM= I_TAVM

t_q

circuit commutated turn-off time

v_RM= 100 V, v_DM= 0,67 V_DRM

dv_D/dt = 20 V/µs, -di_T/dt = 10 A/µs

5.Kennbuchstabe / 5^thletter O

typ.

250 µs

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min

RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec

V_ISOL

3,0

3,6

_ThT_ermh_ise_chr_em_Eigei_ns_scc_hah_ftee_{n /}E_Thei_rg_mae_{l p}n_ros_pec_rtih_esaften

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

pro Modul / per Module, Θ = 180° sin R_thJC

pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin

pro Modul / per Module, DC

max.

0,060 K/W

0,120 K/W

max. 0,0565 K/W

pro Zweig / per arm, DC

max.

0,113 K/W

0,02

0,04

pro Modul / per Module

pro Zweig / per arm

max.

K/W

Übergangs-Wärmewiderstand

R_thCH

thermal resistance, case to heatsink

130

°C

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

Betriebstemperatur

-40...+130 °C

operating temperature

Lagertemperatur

storage temperature

Mechanische Eigenschaften

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see annex

Seite 3

page 3

Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

Innere Isolation

Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140)

AlN

internal insulation

Basic insulation (class 1, IEC61140)

Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse

mounting torque

Toleranz / Tolerance ± 15%

Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse

terminal connection torque

Toleranz / Tolerance ± 10%

DIN 46 244

12 Nm

Steueranschlüsse

control terminals

A 2,8 x 0,8

typ. 800 g

Gewicht

weight

Kriechstrecke

17 mm

50 m/s²

creepage distance

Schwingfestigkeit

vibration resistance

f = 50 Hz

file-No.

E 83335

Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in

Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging

technical notes.

Date of Publication: 2020-01-15

Revision: 3.5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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