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TC7WZ38FK(TE85L,F)

更新时间： 2024-01-08 14:27:43
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 栅输入元件光电二极管逻辑集成电路触发器
页数 文件大小 规格书
7页 206K
描述
IC,LOGIC GATE,DUAL 2-INPUT NAND,LCX/LVC-CMOS,TSSOP,8PIN,PLASTIC

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TC7WZ38FK(TE85L,F) 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSSOP, TSSOP8,.12,20Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.83JESD-30 代码：R-PDSO-G8
逻辑集成电路类型：NAND GATE最大I（ol）：0.024 A
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出特性：OPEN-DRAIN
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP8,.12,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH包装方法：TAPE AND REEL
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO子类别：Gates
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

TC7WZ38FK(TE85L,F) 数据手册

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TC7WZ38FU/FK  
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic  
TC7WZ38FU,TC7WZ38FK  
Dual 2 Input NAND Gate (Open Drain)  
Features  
TC7WZ38FU  
High output current: 24 mA (min) at V  
= 3 V  
CC  
Super high speed operation: t  
= 2.2 ns (typ.)  
pZL  
at V  
= 5 V, 50 pF  
CC  
Operation voltage range: V  
5.5-V tolerant inputs  
= 1.65 to 5.5 V  
CC (opr)  
5.5-V power down protection outputs  
Matches the performance of TC74LCX series when operated at  
(SM8)  
3.3-V V  
CC  
TC7WZ38FK  
Marking  
SM8  
Z 38  
US8  
Product name  
Lot No.  
(US8)  
WZ  
38  
Weight  
SSOP8-P-0.65  
SSOP8-P-0.50A  
: 0.02 g (typ.)  
: 0.01 g (typ.)  
Absolute Maximum Ratings (Ta 25°C)  
Pin Assignment (top view)  
Characteristics  
Power supply voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
0.5 to 6  
0.5 to 6  
0.5 to 6 (Note 1)  
20  
V
CC  
DC input voltage  
V
V
IN  
1A  
1B  
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC  
DC output voltage  
Input diode current  
Output diode current  
DC output current  
V
V
OUT  
1Y  
2B  
2A  
I
mA  
mA  
mA  
mA  
IK  
2Y  
I
20 (Note 2)  
50  
OK  
GND  
I
OUT  
DC V /ground current  
CC  
I
50  
CC  
300 (SM8)  
200 (US8)  
Power dissipation  
P
mW  
D
Storage temperature  
T
65 to 150  
°C  
°C  
stg  
Lead temperature (10s)  
T
260  
L
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings and the operating ranges.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note 1: Do not exceed I  
of absolute maximum ratings.  
OUT  
Note 2: V  
< GND  
OUT  
1
2009-09-17  
1234567

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