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TC554001ATRI-70V

更新时间: 2024-01-30 20:33:41
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 625K
描述
IC 512K X 8 STANDARD SRAM, 150 ns, PDSO32, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, REVERSE, PLASTIC, TSOP2-32, Static RAM

TC554001ATRI-70V 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-32
针数:32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.88最长访问时间:150 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
长度:20.95 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:512KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2-R
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):240
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

TC554001ATRI-70V 数据手册

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