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TC514900AFT-10

更新时间: 2024-09-30 19:47:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 997K
描述
IC,DRAM,FAST PAGE,512KX9,CMOS,SO,28PIN,PLASTIC

TC514900AFT-10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOP, SO28(UNSPEC)Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0内存密度:4718592 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:9
端子数量:28字数:524288 words
字数代码:512000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:512KX9
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SO28(UNSPEC)
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024自我刷新:NO
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.075 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

TC514900AFT-10 数据手册

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