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TC514258BJ-60

更新时间: 2024-09-30 19:33:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 591K
描述
IC 256K X 4 STATIC COLUMN DRAM, 60 ns, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20, Dynamic RAM

TC514258BJ-60 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ,针数:20
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.91
访问模式:STATIC COLUMN最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-J20
JESD-609代码:e0长度:17.15 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STATIC COLUMN DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:20
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
刷新周期:512座面最大高度:3.55 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.7 mm
Base Number Matches:1

TC514258BJ-60 数据手册

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