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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.86 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 65 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 420 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| TBC856S | Galaxy Microelectronics | 65V,0.1A,General Purpose Dual PNP Bipolar Transistor |
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| TBC857 | TOSHIBA | TRANSISTOR 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, 3 PIN, BIP General Purp |
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| TBC857A | Galaxy Microelectronics | 45V,0.1A,General Purpose PNP Bipolar Transistor |
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| TBC857-A | TOSHIBA | TRANSISTOR 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, 3 PIN, BIP General Purp |
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| TBC857AT | Galaxy Microelectronics | -45V,-0.1A,General Purpose PNP Bipolar Transistor |
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| TBC857AW | Galaxy Microelectronics | 45V,0.1A,General Purpose PNP Bipolar Transistor |
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