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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.75 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 65 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| TBC846BDS | Galaxy Microelectronics | 65V,0.1A,General Purpose Dual NPN Bipolar Transistor |
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| TBC846BDW | Galaxy Microelectronics | 65V,0.1A,General Purpose Dual NPN Bipolar Transistor |
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| TBC846BPN | Galaxy Microelectronics | 65V,0.1A,General Purpose NPN+PNP Bipolar Transistor |
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| TBC846BS | Galaxy Microelectronics | 65V,0.1A,General Purpose Dual NPN Bipolar Transistor |
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| TBC846BT | Galaxy Microelectronics | 65V,0.1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor |
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| TBC846BW | Galaxy Microelectronics | 65V,0.1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor |
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