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TA8409FG

更新时间： 2024-02-20 15:22:28
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 驱动器运动控制电子器件信号电路
页数 文件大小 规格书
13页 421K
描述
Bridge Driver

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TA8409FG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Lifetime Buy零件包装代码：SIP
包装说明：SIP, SIP9,.1针数：9
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.69
Is Samacsys：N模拟集成电路 - 其他类型：BRUSH DC MOTOR CONTROLLER
JESD-30 代码：R-PSIP-T9长度：22.28 mm
功能数量：1端子数量：9
最高工作温度：75 °C最低工作温度：-30 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SIP封装等效代码：SIP9,.1
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：12,18 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：7.9 mm
子类别：Motion Control Electronics最大供电电压 (Vsup)：20 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：12 V
表面贴装：NO技术：BIPOLAR
温度等级：COMMERCIAL EXTENDED端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：3.2 mm
Base Number Matches：1

TA8409FG 数据手册

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TA8409S/SG, F/FG  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Supply voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
25  
25  
V
V
V
CC  
Motor drive voltage  
Reference voltage  
V
S
V
25  
ref  
PEAK  
I
1.0  
O (PEAK)  
Output current  
A
AVE.  
I
0.4  
O (AVE.)  
TA8409F/FG  
TA8409S/SG  
0.735 (Note)  
0.95  
Power dissipation  
P
W
D
Operating temperature  
Storage temperature  
T
−30 to 75  
−55 to 150  
°C  
°C  
opr  
T
stg  
Note: This rating is obtained by mounting on 50 × 50 × 1.6 mm PCB that occupied above 30% of copper area.  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C, V = 12 V, V = 18 V)  
CC  
S
Test  
Circuit  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
I
I
I
1
1
1
2
2
2
2
―
―
10.0  
0
15.0  
50  
mA  
µA  
CC1  
CC2  
CC3  
Output OFF, CW/CCW mode  
Output OFF, STOP mode  
Output OFF, BREAK mode  
Supply current  
―
6.5  
―
10.0  
5.5  
0.8  
10  
mA  
1 (High)  
2 (Low)  
V
V
T = 25°C IN1, 2  
j
3.5  
GND  
―
IN 1  
IN 2  
Input operating  
voltage  
V
T = 25°C IN1, 2  
j
―
Input current  
I
Sink mode, V = 3.5 V  
IN  
3
µA  
V
IN  
Input hysteresis voltage  
∆V  
―
―
0.7  
―
T
V
= V , V  
= 0.2 A, CW/CCW mode  
−V measure  
OUT  
ref  
S
S
Upper side  
Lower side  
Upper side  
V
3
3
3
―
―
―
0.9  
0.8  
1.0  
1.2  
1.2  
SAT U−1  
I
O
V
= V , V  
−GND measure  
OUT  
ref  
S
V
SAT L−1  
SAT U−2  
I
= 0.2 A, CW/CCW mode  
O
Saturation voltage  
V
V
= V , V  
−V measure  
OUT  
ref  
S
S
V
1.35  
I
= 0.4 A, CW/CCW mode  
O
V
= V , V  
−GND  
OUT  
ref  
measure  
= 0.4 A, CW/CCW mode  
S
Lower side  
V
3
3
3
―
10.4  
―
0.9  
1.35  
12.2  
―
SAT L−2  
SAT U−1’  
SAT U−2’  
I
O
V
= 10 V, V  
−GND  
ref  
measure  
= 0.2 A  
OUT  
OUT  
V
V
11.2  
10.9  
I
O
Output voltage  
V
V
= 10 V, V  
−GND  
ref  
measure  
= 0.4 A  
I
O
Upper side  
Lower side  
Upper side  
Lower side  
I
4
4
5
5
2
V = 25 V  
―
―
―
―
―
―
―
50  
50  
―
―
40  
LU  
L
Output transistor  
leakage current  
µA  
I
V = 25 V  
L
LL  
V
I
I
= 0.4 A  
= 0.4 A  
1.5  
0.9  
20  
F U−1  
F
F
Diode forward voltage  
Reference current  
V
V
F L−1  
I
V
= 10 V, source mode  
ref  
µA  
ref  
4
2006-3-2  
1234567...13

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