5秒后页面跳转
T500104004AB PDF预览

T500104004AB

更新时间: 2024-01-18 13:45:14
品牌 Logo 应用领域
POWEREX 栅极
页数 文件大小 规格书
6页 1141K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 40000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-83, TO-83, 2 PIN

T500104004AB 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-83
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2针数:2
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.58标称电路换相断开时间:100 µs
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:300 V/us
最大直流栅极触发电流:150 mA最大直流栅极触发电压:3 V
JEDEC-95代码:TO-83JESD-30 代码:O-MUPM-D2
最大漏电流:10 mA通态非重复峰值电流:1200 A
元件数量:1端子数量:2
最大通态电流:40000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:63 A
断态重复峰值电压:1000 V重复峰值反向电压:1000 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

T500104004AB 数据手册

 浏览型号T500104004AB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号T500104004AB的Datasheet PDF文件第3页浏览型号T500104004AB的Datasheet PDF文件第4页浏览型号T500104004AB的Datasheet PDF文件第5页浏览型号T500104004AB的Datasheet PDF文件第6页 

与T500104004AB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
T500104004DH POWEREX

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 62.8A I(T)RMS, 1000V V(RRM), 1 Element, T50, 3 PIN
T500104005DH POWEREX

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 62.8A I(T)RMS, 1000V V(RRM), 1 Element, T50, 3 PIN
T50010400FDH POWEREX

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 62.8A I(T)RMS, 1000V V(RRM), 1 Element, T50, 3 PIN
T50010400GDH POWEREX

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 62.8A I(T)RMS, 1000V V(RRM), 1 Element, T50, 3 PIN
T50010400HDH POWEREX

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 62.8A I(T)RMS, 1000V V(RRM), 1 Element, T50, 3 PIN
T50010400KDH POWEREX

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 62.8A I(T)RMS, 1000V V(RRM), 1 Element, T50, 3 PIN
T5001080 POWEREX

获取价格

Phase Control SCR (40-80 Amperes (63-125 RMS) 1600 Volts)
T500108001DH POWEREX

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 125.6A I(T)RMS, 1000V V(RRM), 1 Element, T50, 3 PIN
T500108002DH POWEREX

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 125.6A I(T)RMS, 1000V V(RRM), 1 Element, T50, 3 PIN
T500108004AB POWEREX

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 125000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E