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T1050H

更新时间： 2024-01-04 14:25:59

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可控硅
页数	文件大小	规格书
10页	136K
描述
10 A - 600 V - 150 °C H系列三端双向可控硅

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T1050H 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.61
其他特性：	COMMON MODE CHOKE AVAILABLE, HEIGHT DIMENSION INCLUDES TERMINAL ALSO	认证：	UL
高度：	10.03 mm	长度：	24.19 mm
安装特点：	SURFACE MOUNT	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		包装方法：	TRAY
物理尺寸：	24.19mm X 14.96mm X 10.03mm	表面贴装：	YES
变压器类型：	TELECOM TRANSFORMER	宽度：	14.96 mm
Base Number Matches：	1

T1050H 数据手册

T1035H, T1050H

Characteristics

Figure 9.

Relative variation of critical rate of Figure 10. Relative variation of critical rate of

decrease of main current (dI/dt)c

versus reapplied (dV/dt)c

(typical values)

decrease of main current versus

junction temperature

(dI/dt)_c[T_j] / (dI/dt)_c[T_j=150°C]

(dI/dt)_c[ (dV/dt)_c] / Specified (dI/dt)_c

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

(dV/dt)_C(V/µs)

T_j(°C)

0.1

1.0

10.0

100.0

100

125

150

Figure 11. Leakage current versus junction

temperature for different values of

blocking voltage (typical values)

Figure 12. Variation of thermal resistance

junction to ambient versus copper

surface under tab (Epoxy printed

circuit board FR4,

copper thickness = 35 µm)

R_th(j-a)(°C/W)

I_DRM/I_RRM(µA)

1.0E+04

D²PAK

V_DRM=V_RRM=600 V

1.0E+03

V_DRM=V_RRM=400 V

1.0E+02

V_DRM=V_RRM=200 V

1.0E+01

1.0E+00

S_CU(cm²)

T_j(°C)

1.0E-01

100

125

150

5/10

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