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T1049N16TOF

更新时间： 2024-01-08 01:31:10

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英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
29页	324K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1870A I(T)RMS, 1190000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element,

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T1049N16TOF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.84	标称电路换相断开时间：	250 µs
配置：	SINGLE	关态电压最小值的临界上升速率：	1000 V/us
最大直流栅极触发电流：	250 mA	最大直流栅极触发电压：	2.2 V
最大维持电流：	300 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
JESD-609代码：	e3	最大漏电流：	110 mA
通态非重复峰值电流：	19000 A	元件数量：	1
端子数量：	4	最大通态电流：	1190000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	1870 A	断态重复峰值电压：	1600 V
重复峰值反向电压：	1600 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 1049 N 12...18

SZ-AM / 99-09-22, K.-A.Rüther

Zn. Nr.: 1

Seite/page 3

A126/ 99

1 234 5 6 7...29

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
T1049N18TOF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 1870A I(T)RMS, 1190000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1	获取价格
T1049N18TOFHOSA1	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 1870A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element	获取价格
T-104S03	MERCURY	Isolator,	获取价格
T1050	STMICROELECTRONICS	10A - 800V - D2PAK封装Snubberless™三端双向可控硅	获取价格
T-1050	RHOMBUS-IND	Transformer	获取价格
T-10500	RHOMBUS-IND	ISDN S-Interface Dual Transformer	获取价格