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T1049N16TOF

更新时间： 2024-02-27 14:44:14

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英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
29页	324K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1870A I(T)RMS, 1190000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element,

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T1049N16TOF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.84	标称电路换相断开时间：	250 µs
配置：	SINGLE	关态电压最小值的临界上升速率：	1000 V/us
最大直流栅极触发电流：	250 mA	最大直流栅极触发电压：	2.2 V
最大维持电流：	300 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
JESD-609代码：	e3	最大漏电流：	110 mA
通态非重复峰值电流：	19000 A	元件数量：	1
端子数量：	4	最大通态电流：	1190000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	1870 A	断态重复峰值电压：	1600 V
重复峰值反向电压：	1600 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

T1049N16TOF 数据手册

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 1049 N 12...18

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Vorläufige Daten

Preliminary Data

Charakteristische Werte / Characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_TM=I_TAVM

Freiwerdezeit

t_q

v_RM=100V, v_DM= 0,67 V_DRM

dv_D/dt = 20 V/µs, -di_T/dt = 10 A/µs

4. Kennbuchstabe / 4th letter O

circuit commutatet turn-off time

typ.

250

µs

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

Kühlfläche / cooling surface

R_thJC

beidseitig / two-sided, Q=180°sin

thermal resitance, junction to case

max. 0,0265 °C/W

max. 0,0240 °C/W

max. 0,0445 °C/W

max. 0,0420 °C/W

max. 0,0585 °C/W

max. 0,0560 °C/W

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, Q=180°sin

Anode / anode, DC

Kathode / cathode, Q=180°sin

Kathode / cathode, DC

Übergangs- Wärmewiderstand

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

R_thCK

thermal resitance, case to heatsink

max. 0,0035 °C/W

max. 0,0070 °C/W

einseitig / single-sided

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

max. junction temperature

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

125

°C

Betriebstemperatur

-40...125

operating temperature

Lagertemperatur

-40...150

storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

Seite 3

case, see appendix

page 3

Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate

Si-pellet with pressure contact, amplifying gate

Anpreßkraft

12 ...24

540

clamping force

Gewicht

weight

typ.

Kriechstrecke

creepage distance

Feuchteklasse

DIN 40040

f = 50Hz

humidity classification

Schwingfestigkeit

m/s²

vibration resistance

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt

in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but

promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

SZ-AM / 99-09-22, K.-A.Rüther

A126/ 99

Seite/page 2

123 4 5 6 7...29

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与T1049N16TOF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
T1049N18TOF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 1870A I(T)RMS, 1190000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1	获取价格
T1049N18TOFHOSA1	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 1870A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element	获取价格
T-104S03	MERCURY	Isolator,	获取价格
T1050	STMICROELECTRONICS	10A - 800V - D2PAK封装Snubberless™三端双向可控硅	获取价格
T-1050	RHOMBUS-IND	Transformer	获取价格
T-10500	RHOMBUS-IND	ISDN S-Interface Dual Transformer	获取价格

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