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T1049N14TOF

更新时间： 2024-02-03 19:09:05

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英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
29页	324K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1870A I(T)RMS, 1190000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element,

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T1049N14TOF 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	250 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	1870 A	断态重复峰值电压：	1400 V
重复峰值反向电压：	1400 V	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 1049 N 12...18

5.000

4.000

3.000

2.000

1.000

0,5

1,5

2,5

v_T[V]

Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristics i_T= f(v_T)

T_vj= T_vjmax

SZ-AM / 99-09-22, K.-A.Rüther

Z. Nr.: 2

Seite/page 5

A126/ 99

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
T1049N16TOF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 1870A I(T)RMS, 1190000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1	获取价格
T1049N18TOF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 1870A I(T)RMS, 1190000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1	获取价格
T1049N18TOFHOSA1	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 1870A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element	获取价格
T-104S03	MERCURY	Isolator,	获取价格
T1050	STMICROELECTRONICS	10A - 800V - D2PAK封装Snubberless™三端双向可控硅	获取价格
T-1050	RHOMBUS-IND	Transformer	获取价格