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T1049N14TOF

更新时间： 2024-01-04 15:07:36
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅栅极
页数 文件大小 规格书
29页 324K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1870A I(T)RMS, 1190000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element,

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T1049N14TOF 技术参数

生命周期：TransferredReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.69配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：250 mAJESD-30 代码：O-CXDB-X4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：1870 A断态重复峰值电压：1400 V
重复峰值反向电压：1400 V表面贴装：YES
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UNSPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

T1049N14TOF 数据手册

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Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 1049 N 12...18  
Elektrische Eigenschften / Electrical properties  
Vorläufige Daten  
Preliminary Data  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
Tvj = Tvj max, iTM=ITAVM  
Freiwerdezeit  
tq  
vRM =100V, vDM = 0,67 VDRM  
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs  
4. Kennbuchstabe / 4th letter O  
circuit commutatet turn-off time  
typ.  
250  
µs  
Thermische Eigenschaften / Thermal properties  
Innerer Wärmewiderstand  
Kühlfläche / cooling surface  
RthJC  
beidseitig / two-sided, Q=180°sin  
thermal resitance, junction to case  
max. 0,0265 °C/W  
max. 0,0240 °C/W  
max. 0,0445 °C/W  
max. 0,0420 °C/W  
max. 0,0585 °C/W  
max. 0,0560 °C/W  
beidseitig / two-sided, DC  
Anode / anode, Q=180°sin  
Anode / anode, DC  
Kathode / cathode, Q=180°sin  
Kathode / cathode, DC  
Übergangs- Wärmewiderstand  
Kühlfläche / cooling surface  
beidseitig / two-sided  
RthCK  
thermal resitance, case to heatsink  
max. 0,0035 °C/W  
max. 0,0070 °C/W  
einseitig / single-sided  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
max. junction temperature  
Tvj max  
Tc op  
Tstg  
125  
°C  
°C  
°C  
Betriebstemperatur  
-40...125  
operating temperature  
Lagertemperatur  
-40...150  
storage temperature  
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties  
Gehäuse, siehe Anlage  
Seite 3  
case, see appendix  
page 3  
Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate  
Si-pellet with pressure contact, amplifying gate  
Anpreßkraft  
F
12 ...24  
540  
32  
kN  
g
clamping force  
Gewicht  
weight  
G
typ.  
Kriechstrecke  
mm  
creepage distance  
Feuchteklasse  
DIN 40040  
f = 50Hz  
C
humidity classification  
Schwingfestigkeit  
50  
m/s²  
vibration resistance  
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt  
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but  
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.  
SZ-AM / 99-09-22, K.-A.Rüther  
A126/ 99  
Seite/page 2  
1234567...29

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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