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T0612NH

更新时间： 2024-01-22 22:03:58

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		局域网栅三端双向交流开关栅极
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5页	62K
描述
800V, 6A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC

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T0612NH 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.72	配置：	SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值：	5 V/us	关态电压最小值的临界上升速率：	500 V/us
最大直流栅极触发电流：	50 mA	最大直流栅极触发电压：	2.5 V
最大维持电流：	50 mA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	最大漏电流：	2 mA
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	6 A	断态重复峰值电压：	800 V
子类别：	TRIACs	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	触发设备类型：	4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：	1

T0612NH 数据手册

T0610xH / T0612xH

Fig.1 : Maximum RMS power dissipation versus

RMS on-state current.

Fig.2 : Correlation betweenmaximum RMS power

dissipation and maximum allowable temperature

(Tamb and Tcase) for different thermal resistances

heatsink + contact.

Tcase (^oC)

P (W)

P(W)

Rth = 0 ^oC/W

-95

= 180^o

180 ^O

2.5 ^oC/W

5^oC/W

= 120^o

= 90^o

10^oC/W

-100

-105

-110

-115

-120

-125

= 60^o

= 30 ^o

(A)

Tamb (^oC)

20 40

T(RMS)

100 120 140

Fig.3 : RMSon-state current versuscase tempera-

ture.

Fig.4 : Relative variation of thermal impedance

versus pulse duration.

Zth/Rth

(A)

T(RMS)

Zth(j-c)

= 180^o

0.1

Zth(j-a)

Tcase(^oC)

10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120130

tp(s)

1E+2 5E+2

0.01

1E-3

1E-2

1E-1

1E+0

1E+1

Fig.5 : Relative variation of gate trigger current and

holding current versus junction temperature.

Fig.6 : Non repetitive surge peak on-state current

versus number of cycles.

Igt[Tj]

Ih[Tj]

(A)

TSM

Igt[Tj=25 ^oC] Ih[Tj=25 ^oC]

Tj initial = 25^oC

2.6

2.4

2.2

2.0

Igt

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

Number of cycles

Tj(^oC)

-40 -20

80 100 120 140

100

1000

3/5

1 234 5

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