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T0514TL

更新时间： 2022-02-26 14:44:56
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竹懋 - CITC /
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描述
Ultra-Low Capacitance ESD Protection Device

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T0514TL 数据手册

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T0514TL  
Ultra-Low Capacitance ESD Protection Device  
Chip Integration Technology Corporation  
Absolute Maximum Rating  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
ESD per IEC 61000-4-2 (Air)  
ESD per IEC 61000-4-2 (Contact)  
±27  
±17  
VESD  
kV  
oC  
oC  
TOPT  
TSTG  
Operating Temperature  
Storage Temperature  
-55/+125  
-55/+150  
Electrical Characteristics (T = 25 oC)  
Symbol  
Parameter  
Current  
VRWM Nominal Reverse Working Voltage  
IR  
VBR  
IT  
Reverse Leakage Current @ VRWM  
Reverse Breakdown Voltage @ IT  
Test Current for Reverse Breakdown  
Clamping Voltage @ IPP  
Maximum Peak Pulse Current  
Parasitic Capacitance  
IF  
VC VBR VRWM  
Voltage  
IR  
IT  
VF  
VC  
IPP  
CESD  
VR  
f
Reverse Voltage  
IPP  
Small Signal Frequency  
Forward Current  
IF  
VF  
Forward Voltage @ IF  
Uni-Directional TVS  
Symbol  
VRWM  
IR  
Test Condition  
Minimum Typical Maximum  
Units  
V
5.0  
VRWM = 5V, T = 25oC  
Between I/O and GND  
IT = 1mA  
Between I/O and GND  
IPP = 1A, tp = 8/20μs  
Between I/O and GND  
VR = 0V, f = 1MHz  
Between I/O and GND  
VR = 0V, f = 1MHz  
Between I/O and I/O  
0.1  
8.0  
1.0  
10.0  
12.0  
0.8  
μA  
V
VBR  
6.0  
VC  
V
pF  
pF  
0.6  
0.3  
CESD  
CESD  
0.4  
Document ID : DS-22V05  
Revised Date : 2016/08/30  
Revision : C  
2
1234567...9

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