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T0410H-8H

更新时间： 2023-12-06 20:10:41

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捷捷微 - JJM		可控硅
页数	文件大小	规格书
8页	937K
描述
高结温双向可控硅

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T0410H-8H 数据手册

T0410H-8H

JieJie Microelectronics CO. , Ltd.

Peak gate power

P_GM

V_pp

Peak pulse voltage

(T_j=25℃; non-repetitive,off-state;FIG.7)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_j=25℃ unless otherwise specified)

Symbol

I_GT

Test Condition

Quadrant

Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ

Value

Unit

MAX.

V_D=12V R_L=33Ω

V_GT

V_D=V_DRMT_j=150℃

R_L=3.3KΩ

V_GD

Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ

MIN.

0.2

Ⅰ-Ⅲ

150

I_L

MAX.

I_G=1.2I_GT

Ⅱ

I_H

I_T=100mA

MAX.

MIN.

V/μs

A/ms

dV/dt

V_D=540V Gate Open T_j=150℃

(dI/dt)c (dV/dt)c=20V/μs, Tj=150℃

t_on

2.5

I_G=20mA I_A=200mA I_R=20mA

T_j=25℃

TYP.

μs

t_off

STATIC CHARACTERISTICS

Symbol

V_TM

Parameter

I_TM=5.5A t_p=380μs

Value(MAX.)

Unit

T_j=25℃

T_j=150℃

T_j=25℃

T_j=150℃

1.4

0.6

129

VTO

Threshold voltage

Dynamic resistance

mΩ

μA

I_DRM

I_RRM

V_D=V_DRMV_R=V_RRM

THERMAL RESISTANCES

Symbol

Parameter

junction to case (AC)

junction to ambient (AC)

Value

4.3

Unit

℃/W

R_th(j-c)

R_th(j-a)

120

TEL：+86-513-68528666

http://www.jjwdz.com

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