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SZ1SMB28CAT3G

更新时间： 2024-02-16 08:29:49
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 351K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 28V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, SMB, 2 PIN

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SZ1SMB28CAT3G 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred包装说明：SMB, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.74Is Samacsys：N
其他特性：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW ZENER IMPEDANCE, UL RECOGNIZED最大击穿电压：34.4 V
最小击穿电压：31.1 V击穿电压标称值：32.74 V
最大钳位电压：45.4 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值反向功率耗散：600 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：BIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.55 W
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：28 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：YES
技术：ZENER端子面层：Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SZ1SMB28CAT3G 数据手册

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TVS Diodes  
Surface Mount > 600W > 1SMB10CAT3G Series  
Pb  
1SMB10CAT3G Series  
Description  
The 1SMB10CAT3Gv series is designed to protect voltage  
sensitive components from high voltage, high energy  
transients. They have excellent clamping capability, high  
surge capability, low zener impedance and fast response  
time. The 1SMB10CAT3G series is supplied in the  
Littelfuse exclusive, cost-effective, highly reliable package  
and is ideally suited for use in communication systems,  
automotive, numerical controls, process controls, medical  
equipment, business machines, power supplies and  
many other industrial/consumer applications.  
Features  
• Working Peak Reverse Voltage Range − 10 V to 75 V  
Maximum Ratings andThermal Characteristics  
• Standard Zener Breakdown Voltage Range −  
11.7 V to 91.7 V  
Parameter  
Symbol  
PPK  
Value  
600  
Unit  
W
• Peak Power − 600 Watts @ 1 ms  
Peak Power Dissipation (Note 1) @ TL =  
25°C, Pulse Width = 1 ms  
• ESD Rating of Class 3 (> 16 kV) per Human Body Model  
• Maximum Clamp Voltage @ Peak Pulse Current  
• Low Leakage < 5 µA Above 10 V  
DC Power Dissipation @ TL = 75°C  
Measured Zero Lead Length (Note 2)  
PD  
W
3.0  
40  
25  
Derate Above 75°C  
mW/°C  
°C/W  
• UL 497B for Isolated Loop Circuit Protection  
• ResponseTime isTypically < 1 ns  
Thermal Resistance from Junction−  
to−Lead  
RJL  
• Pb−Free Packages are Available  
0.55  
4.4  
W
DC Power Dissipation (Note 3) @ TA =  
25°C Derate Above 25°C  
P
D
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance from Junction–to–  
Ambient  
Functional Diagram  
226  
R
JA  
θ
Operating and Storage  
Temperature Range  
-65 to  
+150  
TJ, Tstg  
°C  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are  
stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is  
not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions  
may affect device reliability.  
Additional Information  
1. 10 X 1000 µs, non−repetitive  
2. 1” square copper pad, FR−4 board  
3. FR−4 board, using Littelfuse minimum recommended footprint, as shown in 403A-03  
case outline dimensions spec  
Samples  
Datasheet  
Resources  
*Please see 1SMB5.0AT3 to 1SMB170AT3 for Unidirectional devices  
© 2017 Littelfuse, Inc.  
Specifications are subject to change without notice.  
Revised: 11/17/17  
123456

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与SZ1SMB28CAT3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SZ1SMB30AT3G LITTELFUSE

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 		TVS DIODE 30V 48.4V SMB
SZ1SMB30CAT3G LITTELFUSE

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, SMB,
SZ1SMB33AT3G LITTELFUSE

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 		TVS DIODE 33V 53.3V SMB
SZ1SMB33CAT3G ONSEMI

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 		600 Watt SMB Transient Voltage Suppressor, 33 V Bidirectional, SMB, 2500-REEL
SZ1SMB33CAT3G LITTELFUSE

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, SMB,
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 		Trans Voltage Suppressor Diode,
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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 36V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, SMB,
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 		600 Watt SMB Transient Voltage Suppressor, 36 V Bidirectional 600 Watt SMB Transient Volta
SZ1SMB40AT3G LITTELFUSE

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 		SZ1SMB系列专为保护电压敏感型组件免受高电压、高能量瞬态事件的损坏而设计。 具有一流的
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