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SXVP0335N1

更新时间: 2024-02-16 10:26:00
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超科 - SUPERTEX 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 125K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 350V, 6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3

SXVP0335N1 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:350 V最大漏极电流 (ID):2.7 A
最大漏源导通电阻:6 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):50 pFJEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:P-CHANNEL功耗环境最大值:100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):5 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):150 ns
最大开启时间(吨):80 nsBase Number Matches:1

SXVP0335N1 数据手册

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