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SW10PHN470

更新时间: 2024-02-03 12:11:37
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 95K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 350A, 1000V V(RRM), Silicon,

SW10PHN470 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-MUPM-H1
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.83
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-MUPM-H1
最大非重复峰值正向电流:9000 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最大输出电流:350 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1000 V
表面贴装:NO端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

SW10PHN470 数据手册

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