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SVD640T

更新时间: 2024-04-09 19:02:11
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士兰微 - SILAN /
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9页 442K
描述
TO-220-3L

SVD640T 数据手册

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士兰微电子  
SVD640T/D/S 说明书  
关键特性参数(除非特殊说明,TC=25C)  
参数名称  
漏源击穿电压  
符号  
BVDSS  
IDSS  
IGSS  
VGS(th)  
RDS(on)  
Ciss  
测试条件  
VGS=0VID=250µA  
最小值  
典型值  
--  
最大值  
单位  
V
200  
--  
--  
1
漏源漏电流  
VDS=200VVGS=0V  
VGS=±20VVDS=0V  
VGS= VDSID=250µA  
VGS=10VID=9A  
--  
µA  
nA  
V
栅源漏电流  
--  
--  
±100  
4.0  
0.15  
--  
栅极开启电压  
导通电阻  
2.0  
--  
3.0  
0.12  
1108  
160  
34  
输入电容  
--  
VDS=25VVGS=0V,  
输出电容  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
--  
--  
pF  
ns  
f=1.0MHz  
反向传输电容  
开启延迟时间  
开启上升时间  
关断延迟时间  
关断下降时间  
栅极电荷量  
--  
--  
--  
15  
--  
--  
47  
--  
VDD=100VVGS=10V,  
RG=2.5ΩID=11A  
(注 23)  
td(off)  
tf  
--  
110  
36  
--  
--  
--  
Qg  
--  
41  
--  
VDD=160VVGS=10V,  
栅极-源极电荷量  
栅极-漏极电荷量  
Qgs  
--  
6.0  
20  
--  
nC  
ID=11A  
(注 23)  
Qgd  
--  
--  
-漏二极管特性参数  
参数名称  
源极电流  
符号  
IS  
测试条件  
最小值  
典型值  
--  
最大值  
18  
单位  
--  
--  
--  
--  
--  
MOS 管中源极、漏极构成的反偏  
P-N 结  
A
源极脉冲电流  
-漏二极管压降  
反向恢复时间  
反向恢复电荷  
ISM  
VSD  
Trr  
--  
72  
IS=11AVGS=0V  
--  
1.5  
--  
V
VDD=50V,di/dt=100A/μS,  
160  
0.98  
ns  
µC  
IF=11A  
(注 2)  
Qrr  
--  
注:  
1.  
2.  
3.  
VDD=100VRG=25Ω,开始温度 TJ=25C;  
脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%;  
基本上不受工作温度的影响。  
杭州士兰微电子股份有限公司  
版本号:1.4  
9 页 第 3 页  
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