士兰微电子
SVD640T/D/S 说明书
关键特性参数(除非特殊说明,TC=25C)
参数名称
漏源击穿电压
符号
BVDSS
IDSS
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
Ciss
测试条件
VGS=0V,ID=250µA
最小值
典型值
--
最大值
单位
V
200
--
--
1
漏源漏电流
VDS=200V,VGS=0V
VGS=±20V,VDS=0V
VGS= VDS,ID=250µA
VGS=10V,ID=9A
--
µA
nA
V
栅源漏电流
--
--
±100
4.0
0.15
--
栅极开启电压
导通电阻
2.0
--
3.0
0.12
1108
160
34
输入电容
--
VDS=25V,VGS=0V,
输出电容
Coss
Crss
td(on)
tr
--
--
pF
ns
f=1.0MHz
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
栅极电荷量
--
--
--
15
--
--
47
--
VDD=100V,VGS=10V,
RG=2.5Ω,ID=11A
(注 2,3)
td(off)
tf
--
110
36
--
--
--
Qg
--
41
--
VDD=160V,VGS=10V,
栅极-源极电荷量
栅极-漏极电荷量
Qgs
--
6.0
20
--
nC
ID=11A
(注 2,3)
Qgd
--
--
源-漏二极管特性参数
参数名称
源极电流
符号
IS
测试条件
最小值
典型值
--
最大值
18
单位
--
--
--
--
--
MOS 管中源极、漏极构成的反偏
P-N 结
A
源极脉冲电流
源-漏二极管压降
反向恢复时间
反向恢复电荷
ISM
VSD
Trr
--
72
IS=11A,VGS=0V
--
1.5
--
V
VDD=50V,di/dt=100A/μS,
160
0.98
ns
µC
IF=11A
(注 2)
Qrr
--
注:
1.
2.
3.
VDD=100V,RG=25Ω,开始温度 TJ=25C;
脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%;
基本上不受工作温度的影响。
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号:1.4
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