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SVD1055SA

更新时间： 2024-04-09 19:02:19

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SOP-8

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SVD1055SA 数据手册

SVD1055SA 说明书

电性参数(除非特殊说明，T_C=25C)

N channel

参数

漏源击穿电压

漏源漏电流

符号

BV_DSS

I_DSS

I_GSS

V_GS(th)

R_DS(on)

C_iss

C_oss

C_rss

td_(on)

t_r

测试条件

V_GS=0V， I_D=250µA

V_DS=55V，V_GS=0V

V_GS=±20V，V_DS=0V

V_GS= V_DS，I_D=250µA

V_GS=10V，I_D=10A

最小值

典型值

最大值

单位

µA

栅源漏电流

±100

4.0

栅极开启电压

导通电阻

2.0

m

386

147

5.2

输入电容

输出电容

V_DS=25V，V_GS=0V，f=1.0MHz

反向传输电容

开启延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

栅极电荷量

V_DD=28V，V_GS=10V，R_G=25Ω、

I_D=10A

td_(off)

t_f

(注2，3)

Q_g

V_DD=44V，V_GS=10V，I_D=10A

栅极-源极电荷量

栅极-漏极电荷量

源极电流

Q_gs

Q_gd

I_S

2.9

3.8

(注 2，3)

MOS管中源极、漏极构成的反偏

P-N结

1.3

源极脉冲电流

源-漏二极管压降

反向恢复时间

反向恢复电荷

I_SM

V_SD

T_rr

I_S=10A，V_GS=0V

I_S=10A，V_GS=0V，dI_F/dt=100A/µs

（注2）

μc

0.08

Q_rr

注：

1. L=1mH，I_AS=13A，V_DD=25V， R_G=25Ω，开始温度T_J=25C；

2. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；

3. 基本上不受工作温度的影响。

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.2

共9 页第2 页

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