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SUR542J

更新时间： 2024-02-25 13:57:43

品牌	Logo	应用领域
韩国光电子 - AUK		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	223K
描述
Epitaxial planar NPN silicon transistor

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SUR542J 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.8
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	最小直流电流增益 (hFE)：	120
元件数量：	2	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SUR542J 数据手册

SUR542J

Semiconductor

Epitaxial planar NPN silicon transistor

Description

• Dual chip digital transistor

Features

• Two SRC1211 chips in SOT-363 package

• Simplify circuit design

• Reduce a quantity of parts and manufacturing process

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

SUR542J

HZH

SOT-363

Outline Dimensions

unit : ^mm

• Equivalent Circuit

1.95~2.25

1.15~1.35

Tr1

Tr2

R₁

Tr1

Tr2

10KΩ

PIN Connections

1. COMMON 1

2. IN 1

3. OUT 2

4. COMMON 2

5. IN 2

0.25 Min.

6. OUT 1

KSD-R5S010-000

12 3

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