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STL190N4F7AG

更新时间： 2023-12-20 18:44:55

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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14页	974K
描述
汽车级N沟道40 V、1.68 mOhm典型值、120 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装

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STL190N4F7AG 数据手册

STL190N4F7AG

Test circuits

Figure 13: Test circuit for resistive load

switching times

Figure 14: Test circuit for gate charge

behavior

Figure 15: Test circuit for inductive load

switching and diode recovery times

Figure 16: Unclamped inductive load test

circuit

Figure 18: Switching time waveform

Figure 17: Unclamped inductive waveform

DocID028792 Rev 2

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STL19N3LLH6AG	STMICROELECTRONICS	获取价格	汽车级N沟道30 V、25 mOhm典型值、10 A STripFET H6功率MOSFE
STL19N60M2	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道600 V、0.278 Ohm典型值、11 A MDmesh M2功率MOSFET，
STL19N60M6	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 11 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
STL2045	JSMC	获取价格	TO-220
STL20N6F7	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道60 V、0.0046 Ohm典型值、20 A STripFET F7功率MOSFE
STL20NF20	STMICROELECTRONICS	获取价格	2.8A, 200V, 0.125ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, POWERFLAT-8
STL20NM20N	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 200V - 0.088ohm - 20A PowerFLAT ULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFET
STL20NM20N_06	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 200V - 0.088Ω - 20A PowerFLAT™ ULTR
STL210N4F7	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 40 V, 1.3 m? typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
STL210N4F7AG	STMICROELECTRONICS	获取价格	汽车级N沟道40 V、1.3 mOhm典型值、120 A STripFET F7功率MOS