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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
14页 | 974K | |
描述 | ||
汽车级N沟道40 V、1.68 mOhm典型值、120 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STL19N3LLH6AG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道30 V、25 mOhm典型值、10 A STripFET H6功率MOSFE | |
STL19N60M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.278 Ohm典型值、11 A MDmesh M2功率MOSFET, | |
STL19N60M6 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 11 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package | |
STL2045 | JSMC |
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TO-220 | |
STL20N6F7 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道60 V、0.0046 Ohm典型值、20 A STripFET F7功率MOSFE | |
STL20NF20 | STMICROELECTRONICS |
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2.8A, 200V, 0.125ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, POWERFLAT-8 | |
STL20NM20N | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 200V - 0.088ohm - 20A PowerFLAT ULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFET | |
STL20NM20N_06 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 200V - 0.088Ω - 20A PowerFLAT™ ULTR | |
STL210N4F7 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 40 V, 1.3 m? typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package | |
STL210N4F7AG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道40 V、1.3 mOhm典型值、120 A STripFET F7功率MOS |