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STK13C68-5P45I

更新时间： 2024-02-25 22:36:22

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8页	282K
描述
NVRAM (EEPROM Based)

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STK13C68-5P45I 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIP, DIP28,.3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	45 ns	其他特性：	EEPROM SOFTWARE STORE/RECALL; RETENTION/ENDURANCE = 10 YEARS/100000 CYCLES
JESD-30 代码：	R-PDIP-T28	JESD-609代码：	e0
长度：	32.004 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.572 mm	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.075 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

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