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STK12C68-5C55I PDF预览

STK12C68-5C55I

更新时间： 2024-01-21 11:44:07
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
13页 371K
描述
8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile Static RAM

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STK12C68-5C55I 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：WDIP, DIP28,.3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A001.A.2.CHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：8.66Is Samacsys：N
最长访问时间：35 ns其他特性：RETENTION/ENDURANCE = 10 YEARS/100000 CYCLES
JESD-30 代码：R-CDIP-T28JESD-609代码：e0
长度：35.56 mm内存密度：65536 bit
内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM内存宽度：8
功能数量：1端口数量：1
端子数量：28字数：8192 words
字数代码：8000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：8KX8输出特性：3-STATE
可输出：YES封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：WDIP封装等效代码：DIP28,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE, WINDOW
并行/串行：PARALLEL电源：5 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：4.14 mm最大待机电流：0.004 A
子类别：SRAMs最大压摆率：0.075 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

STK12C68-5C55I 数据手册

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STK12C68  
SRAM READ CYCLES #1 & #2  
(VCC = 5.0V ± 10%)e  
SYMBOLS  
STK12C68-25  
STK12C68-35  
STK12C68-45  
STK12C68-55  
NO.  
PARAMETER  
UNITS  
#1, #2  
Alt.  
MIN  
MAX  
MIN  
MAX  
MIN  
MAX  
MIN  
MAX  
1
2
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
Chip Enable Access Time  
Read Cycle Time  
25  
35  
45  
55  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ELQV  
ACS  
RC  
AA  
g
25  
35  
45  
55  
AVAV  
h
3
Address Access Time  
25  
10  
35  
15  
45  
20  
55  
35  
AVQV  
4
Output Enable to Data Valid  
Output Hold after Address Change  
Chip Enable to Output Active  
Chip Disable to Output Inactive  
Output Enable to Output Active  
Output Disable to Output Inactive  
Chip Enable to Power Active  
Chip Disable to Power Standby  
GLQV  
OE  
OH  
LZ  
h
5
5
5
5
5
5
5
5
5
AXQX  
6
ELQX  
i
7
10  
10  
25  
10  
10  
35  
12  
12  
45  
12  
12  
55  
EHQZ  
HZ  
8
0
0
0
0
0
0
0
0
GLQX  
OLZ  
OHZ  
PA  
i
9
GHQZ  
f
f
10  
11  
ELICCH  
EHICCL  
PS  
Note g: W and HSB must be high during SRAM READ cycles.  
Note h: Device is continuously selected with E and G both low.  
Note i: Measured ± 200mV from steady state output voltage.  
SRAM READ CYCLE #1: Address Controlledg, h  
2
t
AVAV  
ADDRESS  
3
t
AVQV  
5
t
AXQX  
DQ (DATA OUT)  
DATA VALID  
SRAM READ CYCLE #2: E Controlledg  
2
t
AVAV  
ADDRESS  
1
11  
EHICCL  
t
ELQV  
t
6
E
t
ELQX  
7
t
EHQZ  
G
9
t
4
GHQZ  
t
GLQV  
8
t
GLQX  
DQ (DATA OUT)  
DATA VALID  
10  
ELICCH  
t
ACTIVE  
STANDBY  
I
CC  
October 2003  
3
Document Control # ML0008 rev 0.4  
 
 
1234567...13

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与STK12C68-5C55I相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STK12C68-5C55M CYPRESS

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 		64 Kbit (8K x 8) AutoStore nvSRAM
STK12C68-5CF25 ETC

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 		8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No
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