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ST24E256B1

更新时间: 2024-09-30 19:48:31
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 440K
描述
32KX8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.25 MM LEAD FRAME, SKINNY, PLASTIC, DIP-8

ST24E256B1 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP8,.3
针数:8Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.92Is Samacsys:N
其他特性:100000 ERASE/WRITE CYCLES; 2 WIRE SERIAL INTERFACE; 10 YEARS DATA RETENTION最大时钟频率 (fCLK):0.4 MHz
数据保留时间-最小值:10耐久性:100000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节:1010DDDRJESD-30 代码:R-PDIP-T8
JESD-609代码:e0长度:9.55 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:8字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP8,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.9 mm串行总线类型:I2C
最大待机电流:0.0001 A子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.005 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mm最长写入周期时间 (tWC):10 ms
写保护:HARDWAREBase Number Matches:1

ST24E256B1 数据手册

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