ST2408

更新时间： 2024-01-18 11:21:40

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体开关晶体管高压
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描述
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

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ST2408 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	ISOWATT218, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	12 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	6	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	55 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ST2408 数据手册

ST2408HI

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING

NPN POWER TRANSISTOR

■

NEW SERIES, ENHANCHED

PERFORMANCE

FULLY INSULATED PACKAGE FOR EASY

MOUNTING

■

HIGH VOLTAGE CAPABILITY

HIGH SWITCHING SPEED

TIGTHER hfe CONTROL

IMPROVED RUGGEDNESS

APPLICATIONS:

■

HORIZONTAL DEFLECTION FOR MONITOR

17” AND HIGH END TV

ISOWATT218

DESCRIPTION

The device is manufactured using Diffused

Collector technology for more stable operation Vs

base drive circuit variations resulting in very low

worst case dissipation.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Emitter Voltage (V_BE= 0)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

Value

Unit

1500

600

I_CM

Collector Peak Current (t_p< 5 ms)

Base Current

I_B

P_tot

T_stg

T_j

Total Dissipation at T_c= 25 C

^oC

Storage Temperature

-65 to 150

150

Max. Operating Junction Temperature

1/6

February 2000

12 3 4 5 6

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