是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 包装说明: | DISK BUTTON, O-MEDB-N2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8541.30.00.80 | 风险等级: | 5.05 |
外壳连接: | ISOLATED | 标称电路换相断开时间: | 200 µs |
配置: | SINGLE | 最大直流栅极触发电流: | 200 mA |
最大直流栅极触发电压: | 3 V | 最大维持电流: | 600 mA |
JESD-30 代码: | O-MEDB-N2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | DISK BUTTON |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
最大均方根通态电流: | 3080 A | 重复峰值关态漏电流最大值: | 100000 µA |
断态重复峰值电压: | 1200 V | 重复峰值反向电压: | 1200 V |
表面贴装: | YES | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | END | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ST1200C12K3PBF | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3080A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, ROHS C | |
ST1200C12K3PBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3080A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, KPUK-2 | |
ST1200C14K0 | INFINEON |
获取价格 |
PHASE CONTROL THYRISTORS | |
ST1200C14K0 | VISHAY |
获取价格 |
Phase Control Thyristors | |
ST1200C14K0L | INFINEON |
获取价格 |
PHASE CONTROL THYRISTORS | |
ST1200C14K0L | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3080A I(T)RMS, 1700000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 | |
ST1200C14K0LP | VISHAY |
获取价格 |
Phase Control Thyristors (Stud Version), 1650 A | |
ST1200C14K0LPBF | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3080A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, ROHS C | |
ST1200C14K0LPBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3080A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, KPUK-2 | |
ST1200C14K0P | VISHAY |
获取价格 |
Phase Control Thyristors |