Datasheet > ST083S04PFN0L

ST083S04PFN0L

更新时间： 2024-02-23 23:30:30

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
9页	126K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 85000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-209AC

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

ST083S04PFN0L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.79	Is Samacsys：	N
标称电路换相断开时间：	10 µs	最大直流栅极触发电流：	200 mA
最大直流栅极触发电压：	3 V	最大维持电流：	600 mA
最大漏电流：	30 mA	通态非重复峰值电流：	2500 A
最大通态电压：	2.2 V	最大通态电流：	85000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
断态重复峰值电压：	400 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

ST083S04PFN0L 数据手册

ST083S Series

Bulletin I25185 rev. B 03/94

ELECTRICAL SPECIFICATIONS

Voltage Ratings

Voltage

Code

V_DRM/V_RRM, maximum

V_RSM, maximum

I_DRM/I_RRMmax.

@ T_J= T_Jmax.

Type number

ST083S

repetitive peak voltage

non-repetitive peak voltage

400

800

1000

1200

500

900

1100

1300

Current Carrying Capability

I_TM

Frequency

Units

180^oel

100µs

2540

1190

630

250

180^oel

50Hz

400Hz

210

200

120

330

350

270

210

1930

810

1000Hz

150

320

220

190

400

100

2500Hz

Recovery voltage Vr

Voltage before turn-on Vd

Rise of on-state currentdi/dt

V_DRM

A/µs

Case temperature

°C

Equivalent values for RC circuit

22Ω / 0.15µF

On-state Conduction

Parameter

ST083S

Units Conditions

I_T(AV)Max. average on-state current

@ Case temperature

180° conduction, half sine wave

°C

I_T(RMS)Max. RMS on-state current

135

DC @ 77°C case temperature

t = 10ms No voltage

t = 8.3ms reapplied

t = 10ms 100% V_RRM

t = 8.3ms reapplied

t = 10ms No voltage

t = 8.3ms reapplied

t = 10ms 100% V_RRM

t = 8.3ms reapplied

KA²√s t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied

I_TSM

Max. peak, one half cycle,

non-repetitive surge current

2450

2560

2060

2160

Sinusoidal half wave,

Initial T_J= T_Jmax

I²t

Maximum I²t for fusing

KA²s

I²√t

Maximum I²√t for fusing

300

www.irf.com

123 4 5 6 7...9

下载PDF

与ST083S04PFN0L相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ST083S04PFN0LPBF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-209AC	获取价格
ST083S04PFN0PBF	VISHAY	Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 85000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elem	获取价格
ST083S04PFN1	INFINEON	INVERTER GRADE THYRISTORS	获取价格
ST083S04PFN1L	INFINEON	暂无描述	获取价格
ST083S04PFN1PBF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 85000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elem	获取价格
ST083S04PFN1PBF	VISHAY	Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 85000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elem	获取价格