Datasheet > ST083S04PFN0L

ST083S04PFN0L

更新时间： 2024-02-24 20:07:05

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
9页	126K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 85000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-209AC

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

ST083S04PFN0L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.79	Is Samacsys：	N
标称电路换相断开时间：	10 µs	最大直流栅极触发电流：	200 mA
最大直流栅极触发电压：	3 V	最大维持电流：	600 mA
最大漏电流：	30 mA	通态非重复峰值电流：	2500 A
最大通态电压：	2.2 V	最大通态电流：	85000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
断态重复峰值电压：	400 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

ST083S04PFN0L 数据手册

ST083S Series

Bulletin I25185 rev. B 03/94

1E4

1E3

1E2

1E1

ST083S Se rie s

Re c ta n gula r p ulse

20 jo ule s p e r p ulse

d i/d t = 50A/µs

20 joule s p e r p u lse

7.5

0.5

0.3

0.2

0.1

0.5

0.3

0.2

0.1

ST083S Se rie s

Sinusoid a l p ulse

1E11E1

1E14E4

1E2

1E3

1E4

1E1

1E2

1E3

Pulse Ba se wid th (µs)

Fig. 14 - Maximum On-state Energy Power Loss Characteristics

100

Re c ta n gula r g a te p ulse

(1) PGM = 10W, tp = 20ms

(2) PGM = 20W, tp = 10ms

(3) PGM = 40W, tp = 5ms

(4) PGM = 60W, tp = 3.3m s

a ) Re c om me nd e d loa d line fo r

ra te d d i/ d t : 20V, 10ohms; tr<=1 µs

b ) Re c omm e nd e d lo a d lin e for

<=30% ra te d d i/ dt : 10V, 10o hms

tr<=1 µs

(a )

(b )

(2) (3) (4)

(1)

VGD

IGD

De vic e : ST083S Se rie s

Fre q ue nc y Lim ite d by PG(AV)

0.1

0.001

0.01

0.1

100

Insta nta ne ous Ga te Curre n t (A)

Fig. 15 - Gate Characteristics

www.irf.com

1...6 7 89

下载PDF

与ST083S04PFN0L相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ST083S04PFN0LPBF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-209AC	获取价格
ST083S04PFN0PBF	VISHAY	Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 85000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elem	获取价格
ST083S04PFN1	INFINEON	INVERTER GRADE THYRISTORS	获取价格
ST083S04PFN1L	INFINEON	暂无描述	获取价格
ST083S04PFN1PBF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 85000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elem	获取价格
ST083S04PFN1PBF	VISHAY	Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 85000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elem	获取价格