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SSA24-M3/5AT

更新时间： 2024-09-30 15:52:51

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威世 - VISHAY		功效瞄准线光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	87K
描述
2A,40V,SM SCHOTTKY RECT

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SSA24-M3/5AT 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.42
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.49 V
JEDEC-95代码：	DO-214AC	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流：	60 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压：	40 V	最大反向电流：	200 µA
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

SSA24-M3/5AT 数据手册

SSA23L, SSA24

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

High-Current Density Surface Mount Schottky Rectifier

FEATURES

• Low profile package

• Ideal for automated placement

• Guardring for overvoltage protection

• Low power losses, high efficiency

• Low forward voltage drop

• High surge capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of

260 °C

DO-214AC (SMA)

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

For use in low voltage high frequency inverters,

freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection

applications.

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

E_AS

2.0 A

30 V, 40 V

60 A

MECHANICAL DATA

Case: DO-214AC (SMA)

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

11.25 mJ

Base P/N-M3

commercial grade

- halogen-free, RoHS-compliant, and

V_F

0.38 V, 0.42 V

150 °C

T_Jmax.

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

M3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test

Package

DO-214AC (SMA)

Single

Diode variations

Polarity: Color band denotes the cathode end

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

SSA23L

23L

SSA24

S24

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified currentat T_L(fig. 1)

I_F(AV)

2.0

Peak forward surge current 8.3 ms single halfsine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

Non-repetitive avalanche energy at T_A= 25 °C, I_AS= 1.5 A, L = 10 mH

Voltage rate of change (rated V_R)

E_AS

dV/dt

T_J

11.25

10 000

V/μs

°C

Operating junction temperature range

-65 to +150

Storage temperature range

T_STG

-65 to +150

°C

Revision: 16-Jan-14

Document Number: 89280

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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