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SS58B PDF预览

SS58B

更新时间： 2024-02-15 01:02:35
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森美特 - SUNMATE /
页数 文件大小 规格书
2页 538K
描述
5A Patch Schottky diode 80V SMB series

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SS58B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMAF, 2 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.69其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.7 VJESD-30 代码：R-PDSO-F2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：80 V最大反向电流：1000 µA
反向测试电压：80 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SS58B 数据手册

 浏览型号SS58B的Datasheet PDF文件第2页 
SS52B - SS510B  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODES  
VOLTAGE RANGE: 20 - 100V  
CURRENT: 5.0 A  
Features  
! Schottky Barrier Chip  
! Ideally Suited for Automatic Assembly  
Low Power Loss, High Efficiency  
!
! Surge Overload Rating to 175A Peak  
! For Use in Low Voltage Application  
! Guard Ring Die Construction  
!
Plastic Case Material has UL Flammability  
B
SMB(DO-214AA)  
Classification Rating 94V-O  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
Dim  
A
Min  
3.30  
4.06  
1.91  
0.15  
5.00  
0.10  
0.76  
2.00  
Max  
3.94  
4.70  
2.21  
0.31  
5.59  
0.20  
1.52  
2.62  
Mechanical Data  
A
C
B
!
!
Case: SMB/DO-214AA, Molded Plastic  
Terminals: Solder Plated, Solderable  
per MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch  
Marking: Type Number  
C
D
E
D
!
!
!
G
H
J
Weight: 0.093 grams (approx.)  
J
G
H
All Dimensions in mm  
E
TA = 25ꢀC unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
SS52B SS53B SS54B SS55B SS56B SS58B SS510B Unit  
Symbol  
Characteristic  
20  
14  
20  
30  
21  
30  
40  
28  
40  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
80  
56  
80  
100  
70  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
V
V
V
V
RRM  
RMS  
V
100  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current  
at TL(see fig.1)  
V
DC  
I
(AV)  
5.0  
A
Peak forward surge current  
A
IFSM  
150.0  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
V
F
0.55  
0.70  
0.85  
Maximum instantaneous forward voltage at 5.0A  
V
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
TA=25 C  
0.5  
mA  
IR  
TA=100 C  
20  
10  
200  
Typical junction capacitance (NOTE 1)  
C
J
pF  
C/W  
C
Typical thermal resistance (NOTE 2)  
Operating junction temperature range  
RθJA  
50.0  
-65 to +125  
-65 to +150  
-65 to +150  
TJ,  
Storage temperature range  
C
TSTG  
Note:1.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
2.P.C.B. mounted with 0.2x0.2”(5.0x5.0mm) copper pad areas  
1 of 2  
www.sunmate.tw  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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