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SS12HE3_B/I

更新时间： 2024-02-04 20:44:50

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威世 - VISHAY		瞄准线光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	88K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN

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SS12HE3_B/I 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMA, 2 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	5.58
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AC	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	20 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

SS12HE3_B/I 数据手册

SS12, SS13, SS14, SS15, SS16

www.vishay.com

Vishay General Semiconductor

Surface Mount Schottky Barrier Rectifier

FEATURES

• Low profile package

• Ideal for automated placement

• Guardring for overvoltage protection

• Low power losses, high efficiency

• Low forward voltage drop

• High surge capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak

of 260 °C

• AEC-Q101 qualified

DO-214AC (SMA)

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

For use in low voltage, high frequency inverters,

freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection

applications.

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

1.0 A

V_RRM

I_FSM

20 V, 30 V, 40 V, 50 V, 60 V

40 A

MECHANICAL DATA

Case: DO-214AC (SMA)

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

V_F

0.50 V, 0.75 V

150 °C

T_Jmax.

Package

Diode variations

Base P/N-E3

RoHS-compliant, commercial grade

DO-214AC (SMA)

Single

Base P/NHE3_X - RoHS-compliant and AEC-Q101 qualified

(“_X” denotes revision code e.g. A, B, .....)

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

E3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test, HE3 suffix

meets JESD 201 class 2 whisker test

Polarity: Color band denotes the cathode end

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

SS12

SS13

SS14

SS15

SS16

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified current at T_L(fig. 1)

I_F(AV)

1.0

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

Voltage rate of change (rated V_R)

Operating junction temperature range

Storage temperature range

dV/dt

T_J

10 000

V/μs

°C

-65 to +150

T_STG

°C

Revision: 09-Nov-16

Document Number: 88746

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SS12HE3-L	MCC	获取价格	Tape: 5K/Reel, 80K/Ctn;
SS12J	LGE	获取价格	Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
SS12L	TSC	获取价格	1.0 AMP. Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
SS12L	HY	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
SS12L	SUNMATE	获取价格	1A Patch Schottky diode 20V SOD-123 series
SS12L	PANJIT	获取价格	LOW VF SURFACE MOUNT SCHOTTKY RECTIFIER
SS12L	SSC	获取价格	Schottky Barrier Rectifiers
SS12-L	MCC	获取价格	1 Amp Schottky Rectifier 20 to 100 Volts
SS12-L	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 80V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMAJ, 2 PIN
SS12L_1	TSC	获取价格	1.0 AMP. Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers

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