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SPD11N10

更新时间: 2024-09-29 22:42:47
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 495K
描述
SIPMOS Power-Transistor

SPD11N10 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-252包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.69
其他特性:AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):60 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (Abs) (ID):10.5 A
最大漏极电流 (ID):10.5 A最大漏源导通电阻:0.17 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:3元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):50 W最大脉冲漏极电流 (IDM):41.2 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SPD11N10 数据手册

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SPD11N10  
SPU11N10  
Preliminary data  
SIPMOS Power-Transistor  
Product Summary  
Feature  
V
100  
170  
10.5  
V
m
A
DS  
N-Channel  
R
DS(on)  
Enhancement mode  
175°C operating temperature  
Avalanche rated  
dv/dt rated  
I
D
P-TO251  
P-TO252  
Type  
SPD11N10  
SPU11N10  
Package  
P-TO252  
P-TO251  
Ordering Code  
Q67042-S4121  
Q67042-S4122  
Marking  
11N10  
11N10  
Maximum Ratings,at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
A
Continuous drain current  
I
D
T =25°C  
10.5  
7.8  
C
T =100°C  
C
41.2  
Pulsed drain current  
I
D puls  
T =25°C  
C
60  
6
mJ  
Avalanche energy, single pulse  
E
AS  
I =10.5 A , V =25V, R =25  
D
DD GS  
Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
kV/µs  
I =10.5A, V =80V, di/dt=200A/µs, T  
DS jmax  
=175°C  
S
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
V
W
±20  
50  
GS  
P
tot  
T =25°C  
C
°C  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
T , T  
-55... +175  
55/175/56  
j
stg  
Page 1  
2002-01-31  

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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