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SMDJ51C

更新时间： 2024-01-29 10:41:30

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鲁光 - LGE		/
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SMDJ51C 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMC, 2 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.33
其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN	最大击穿电压：	65.67 V
最小击穿电压：	53.73 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散：	3000 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性：	BIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	6 W
最大重复峰值反向电压：	51 V	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

SMDJ51C 数据手册

SMDJ Series

Surface Mount

Transient Voltage Suppressors

Working Voltage: 5.0 to 440 V

Peak Pulse Power: 3000 W

SMC/ DO-214AB

Features

● Glass passivated chip

●

3000 W peak pulse power capability with a

10/1000 μs waveform, repetitive rate (duty

cycle):0.01 %

● Low leakage

● Uni and Bidirectional unit

● Excellent clamping capability

● Very fast response time

● RoHS compliant

Mechanical Data

● Case: Molded plastic

● Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant

●

Lead: Solderable per MIL-STD-750, method

2026

● Polarity: Color band denotes cathode end

except Bipolar

● Mounting position: Any

Maximum Ratings(T_A=25℃ unless otherwise noted)

Value

3000

UNIT

Parameter

Symbol

P_PP

Peak power dissipation with a 10/1000μs waveform⁽¹⁾

Peak pulse current wih a 10/1000μs waveform⁽¹⁾

Power dissipation on infinite heatsink at T_L= 75 °C

Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-

I_PP

P_D

See Next Table

6.5

I_FSM

300

wave unidirectional only⁽²⁾

Maximum instantaneous forward voltage at 100A for

unidirectional only⁽³⁾

V_F

3.5/5.0

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

55 to +150

°C

Note:

(1)Non-repetitive current pulse per Fig.5 and derated above T_A= 25 °C per Fig.1

(2)Measured on 8.3 ms single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum

(3)V_F<3.5V for devices of V_BR<200V and V_F<5.0V for devices of V_BR>201V

http://www.lgesemi.com

mail:lge@lgesemi.com

Revision:20170301-P1

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