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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PDSO-C2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.71 | 其他特性： | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED |
| 最大击穿电压： | 13.7 V | 最小击穿电压： | 12.4 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码： | DO-214AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 600 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 最大重复峰值反向电压： | 11.1 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | C BEND | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMBJP6KE13AHE3-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, |
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| SMBJP6KE13AP | MCC |
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暂无描述 |
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| SMBJP6KE13AQ | MCC |
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Tape :3K/Reel, 48K/Ctn; |
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| SMBJP6KE13A-T | MCC |
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Transient Suppressor, |
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| SMBJP6KE13A-TP | MCC |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 11.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
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| SMBJP6KE13ATR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 11.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
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| SMBJP6KE13CA | MCC |
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Transient Voltage Suppressor 6.8 to 550 Volts 600 Watt |
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| SMBJP6KE13CA | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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| SMBJP6KE13CAE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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| SMBJP6KE13CAE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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